STW54NM65ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW54NM65ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW54NM65ND
STW54NM65ND Datasheet (PDF)
stw54nm65nd.pdf
STW54NM65NDN-channel 650 V, 0.055 , 49 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Order code ID(@Tjmax) max.STW54NM65ND 710 V
stw54nk30z.pdf
STW54NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.052 - 54A TO-247Zener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE BVDSS RDS(on) ID PwSTW54NK30Z 300 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918