STW55NM60ND Todos los transistores

 

STW55NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW55NM60ND
   Código: 55NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW55NM60ND

 

STW55NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  st
stw55nm60nd.pdf

STW55NM60ND STW55NM60ND

STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V

 4.1. Size:329K  st
stw55nm60n.pdf

STW55NM60ND STW55NM60ND

STW55NM60NN-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM60N 650 V

 7.1. Size:350K  st
stw55nm50n.pdf

STW55NM60ND STW55NM60ND

STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V

 8.1. Size:334K  1
sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf

STW55NM60ND STW55NM60ND

 8.2. Size:268K  st
stw55ne10.pdf

STW55NM60ND STW55NM60ND

STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW55NE10 100 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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