STW55NM60ND Todos los transistores

 

STW55NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW55NM60ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW55NM60ND datasheet

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STW55NM60ND

STW55NM60ND N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) (max) STW55NM60ND 650 V

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STW55NM60ND

STW55NM60N N-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM60N 650 V

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 stw55nm50n.pdf pdf_icon

STW55NM60ND

STW55NM50N N-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM50N 550 V

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 sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf pdf_icon

STW55NM60ND

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History: SSP50R240S | 2SK1235 | SSW90R160SFD | AP02N60J-H | RU13N65R | BS108ZL1G | BRI65R380C

 

 

 

 

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