STW55NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW55NM60ND
Código: 55NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 350 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 51 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 190 nC
Tiempo de subida (tr): 68 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW55NM60ND
STW55NM60ND Datasheet (PDF)
stw55nm60nd.pdf
STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V
stw55nm60n.pdf
STW55NM60NN-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM60N 650 V
stw55nm50n.pdf
STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V
stw55ne10.pdf
STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW55NE10 100 V
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
