STW55NM60ND. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STW55NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW55NM60ND
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW55NM60ND даташит
stw55nm60nd.pdf
STW55NM60ND N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) (max) STW55NM60ND 650 V
stw55nm60n.pdf
STW55NM60N N-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM60N 650 V
stw55nm50n.pdf
STW55NM50N N-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM50N 550 V
Другие MOSFET... STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , IRF3205 , STW56NM60N , STW58NM60N , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 .
History: SWD200R10VT | SWB085R68E7T
History: SWD200R10VT | SWB085R68E7T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet





