Справочник MOSFET. STW55NM60ND

 

STW55NM60ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW55NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW55NM60ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW55NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  st
 stw55nm60nd.pdf pdf_icon

STW55NM60ND

STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V

 4.1. Size:329K  st
 stw55nm60n.pdf pdf_icon

STW55NM60ND

STW55NM60NN-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM60N 650 V

 7.1. Size:350K  st
 stw55nm50n.pdf pdf_icon

STW55NM60ND

STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V

 8.1. Size:334K  1
 sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf pdf_icon

STW55NM60ND

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , IRF3205 , STW56NM60N , STW58NM60N , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 .

History: F4F60VX2 | RQ7E055AT | FIR6N40FG | BUK7Y53-100B

 

 
Back to Top

 


 
.