STW58NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW58NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de STW58NM60N MOSFET
STW58NM60N Datasheet (PDF)
stw58nm60n.pdf
STW58NM60NN-channel 600 V, 0.05 , 45 A TO-247MDmesh II Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTW58NM60N 600 V
Otros transistores... STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , STW55NM60ND , STW56NM60N , IRF840 , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 , STW75NF30 .
History: TPCS8213 | SMIRF20N65T2TL
History: TPCS8213 | SMIRF20N65T2TL
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet