STW58NM60N - описание и поиск аналогов

 

STW58NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW58NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW58NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW58NM60N даташит

 ..1. Size:406K  st
stw58nm60n.pdfpdf_icon

STW58NM60N

STW58NM60N N-channel 600 V, 0.05 , 45 A TO-247 MDmesh II Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Order code VDSS ID max STW58NM60N 600 V

Другие MOSFET... STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , STW55NM60ND , STW56NM60N , IRF840 , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 , STW75NF30 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.