STW60N65M5 Todos los transistores

 

STW60N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW60N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STW60N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  st
 stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V

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STW60N65M5

STW60NE10N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW60NE10 100 V

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 stw60nm50n.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60NM50NN-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTW60NM50N 550 V

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 stw60n10.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STH60N10/FISTW60N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH60N10 100 V

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History: VSE003N04MS-G | WSD4066DN | CSD17310Q5A | AOLF66610 | 2SK1336 | VS3618AE | FTU04N65C

 

 
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