Справочник MOSFET. STW60N65M5

 

STW60N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW60N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW60N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW60N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  st
 stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V

 8.1. Size:202K  st
 stw60ne10.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60NE10N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW60NE10 100 V

 8.2. Size:751K  st
 stw60nm50n.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60NM50NN-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTW60NM50N 550 V

 8.3. Size:389K  st
 stw60n10.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STH60N10/FISTW60N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH60N10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , STW55NM60ND , STW56NM60N , STW58NM60N , STW5NK100Z , IRF540 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 , STW75NF30 , STW77N65M5 , STW7N95K3 .

History: SH8J62 | 2SK1345 | TF408 | 2SK3666-3-TB-E | 2SK299 | 2SK3646-01S | GSM3414A

 

 
Back to Top

 


 
.