Справочник MOSFET. STW60N65M5

 

STW60N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW60N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW60N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  st
 stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V

 8.1. Size:202K  st
 stw60ne10.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60NE10N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW60NE10 100 V

 8.2. Size:751K  st
 stw60nm50n.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STW60NM50NN-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTW60NM50N 550 V

 8.3. Size:389K  st
 stw60n10.pdf pdf_icon

STW60N65M5

STH60N10/FISTW60N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH60N10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: LSGC04R029 | AP2306CGN-HF | SFF24N50B | IRF9Z34L | STP4NB50 | FCP400N80Z | IRFBE30LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.