APT40M75JN Todos los transistores

 

APT40M75JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT40M75JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 241 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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APT40M75JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  apt
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APT40M75JN

DGAPT40M75JN 400V 56.0A 0.075SAPT40M90JN 400V 51.0A 0.090ISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)POWER MOS IVSINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 40M75JN 40M90JN UNITVDSS Drain-Source Voltage400 400 VoltsID Continuous Dr

 7.1. Size:62K  apt
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APT40M75JN

APT40M70LVR400V 57A 0.070POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe

 7.2. Size:69K  apt
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APT40M75JN

APT40M70JVR400V 53A 0.070POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

 7.3. Size:70K  apt
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APT40M75JN

APT40M70JVFR400V 53A 0.070 POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V"UL Recognized"also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.ISOTOP Faster

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