Справочник MOSFET. APT40M75JN

 

APT40M75JN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT40M75JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для APT40M75JN

 

 

APT40M75JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  apt
 apt40m75jn.pdf

APT40M75JN APT40M75JN

DGAPT40M75JN 400V 56.0A 0.075SAPT40M90JN 400V 51.0A 0.090ISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)POWER MOS IVSINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 40M75JN 40M90JN UNITVDSS Drain-Source Voltage400 400 VoltsID Continuous Dr

 7.1. Size:62K  apt
 apt40m70lvr.pdf

APT40M75JN APT40M75JN

APT40M70LVR400V 57A 0.070POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe

 7.2. Size:69K  apt
 apt40m70jvr.pdf

APT40M75JN APT40M75JN

APT40M70JVR400V 53A 0.070POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

 7.3. Size:70K  apt
 apt40m70jvfr.pdf

APT40M75JN APT40M75JN

APT40M70JVFR400V 53A 0.070 POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V"UL Recognized"also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.ISOTOP Faster

 7.4. Size:148K  apt
 apt40m70b2vfrg apt40m70lvfrg.pdf

APT40M75JN APT40M75JN

400V 57A 0.070APT40M70B2VFR APT40M70LVFRAPT40M70B2VFRG* APT40M40LVFRG**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.B2VFR POWER MOS V FREDFETT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance

Другие MOSFET... APT4020BN , APT4020BVR , APT4030CNR , APT40M35JVR , APT40M35PVR , APT40M42JN , APT40M70JVR , APT40M70LVR , IRFP250N , APT40M82WVR , APT5010B2VFR , APT5010B2VR , APT5010JN , APT5010JVFR , APT5010JVR , APT5010LVFR , APT5010LVR .

 

 
Back to Top