APT40M75JN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT40M75JN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для APT40M75JN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT40M75JN даташит

 ..1. Size:62K  apt
 apt40m75jn.pdf pdf_icon

APT40M75JN

D G APT40M75JN 400V 56.0A 0.075 S APT40M90JN 400V 51.0A 0.090 ISOTOP "UL Recognized" File No. E145592 (S) POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 40M75JN 40M90JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 400 Volts ID Continuous Dr

 7.1. Size:62K  apt
 apt40m70lvr.pdf pdf_icon

APT40M75JN

APT40M70LVR 400V 57A 0.070 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe

 7.2. Size:69K  apt
 apt40m70jvr.pdf pdf_icon

APT40M75JN

APT40M70JVR 400V 53A 0.070 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

 7.3. Size:70K  apt
 apt40m70jvfr.pdf pdf_icon

APT40M75JN

APT40M70JVFR 400V 53A 0.070 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V "UL Recognized" also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ISOTOP Faster

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT4020BN, APT4020BVR, APT4030CNR, APT40M35JVR, APT40M35PVR, APT40M42JN, APT40M70JVR, APT40M70LVR, STP75NF75, APT40M82WVR, APT5010B2VFR, APT5010B2VR, APT5010JN, APT5010JVFR, APT5010JVR, APT5010LVFR, APT5010LVR