STY60NK30Z Todos los transistores

 

STY60NK30Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STY60NK30Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1070 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: MAX247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STY60NK30Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  st
 sty60nk30z.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTY60NK30Z 300 V

 8.1. Size:291K  st
 sty60nm60.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V

 8.2. Size:35K  st
 sty60na20.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247FAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NA20 200 V

 8.3. Size:283K  st
 sty60nm50.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM50 500V

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History: IXTP110N055T2 | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | DMN32D2LDF | BLF7G24LS-100 | FQP18N50V2

 

 
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