STY60NK30Z Todos los transistores

 

STY60NK30Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STY60NK30Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1070 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: MAX247

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STY60NK30Z datasheet

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STY60NK30Z

STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STY60NK30Z 300 V

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STY60NK30Z

STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM60 600V

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STY60NK30Z

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NA20 200 V

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STY60NK30Z

STY60NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM50 500V

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History: AP3N9R5H | BSB024N03LXG | HM100N15A | BSC010NE2LS

 

 

 

 

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