Справочник MOSFET. STY60NK30Z

 

STY60NK30Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STY60NK30Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: MAX247
 

 Аналог (замена) для STY60NK30Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STY60NK30Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  st
 sty60nk30z.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTY60NK30Z 300 V

 8.1. Size:291K  st
 sty60nm60.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V

 8.2. Size:35K  st
 sty60na20.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247FAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NA20 200 V

 8.3. Size:283K  st
 sty60nm50.pdf pdf_icon

STY60NK30Z

STY60NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM50 500V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , 2SK3878 , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G .

History: GP1M003A090XX | BUK457-400A | NCE65NF099T

 

 
Back to Top

 


 
.