STY60NM50 Todos los transistores

 

STY60NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STY60NM50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: MAX247
 

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STY60NM50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  st
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STY60NM50

STY60NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM50 500V

 7.1. Size:291K  st
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STY60NM50

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V

 8.1. Size:35K  st
 sty60na20.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247FAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NA20 200 V

 8.2. Size:190K  st
 sty60nk30z.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTY60NK30Z 300 V

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History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
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