Справочник MOSFET. STY60NM50

 

STY60NM50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STY60NM50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: MAX247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STY60NM50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  st
 sty60nm50.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM50 500V

 7.1. Size:291K  st
 sty60nm60.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V

 8.1. Size:35K  st
 sty60na20.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247FAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NA20 200 V

 8.2. Size:190K  st
 sty60nk30z.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTY60NK30Z 300 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , IRFP250N , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.