STY60NM50 - описание и поиск аналогов

 

STY60NM50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STY60NM50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: MAX247

Аналог (замена) для STY60NM50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STY60NM50 даташит

 ..1. Size:283K  st
 sty60nm50.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM50 500V

 7.1. Size:291K  st
 sty60nm60.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM60 600V

 8.1. Size:35K  st
 sty60na20.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NA20 200 V

 8.2. Size:190K  st
 sty60nk30z.pdf pdf_icon

STY60NM50

STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STY60NK30Z 300 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , 7N65 , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.