STY60NM60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STY60NM60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: MAX247
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STY60NM60 datasheet
sty60nm60.pdf
STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM60 600V
sty60nm50.pdf
STY60NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM50 500V
sty60na20.pdf
STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NA20 200 V
sty60nk30z.pdf
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STY60NK30Z 300 V
Otros transistores... STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , IRFP250N , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG .
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Liste
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