STY60NM60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STY60NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STY60NM60
STY60NM60 Datasheet (PDF)
sty60nm60.pdf

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V
sty60nm50.pdf

STY60NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM50 500V
sty60na20.pdf

STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247FAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NA20 200 V
sty60nk30z.pdf

STY60NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTY60NK30Z 300 V
Другие MOSFET... STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , AON7408 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG .
History: IRFBE30PBF | BSP372
History: IRFBE30PBF | BSP372



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor