STY60NM60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STY60NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: MAX247
STY60NM60 Datasheet (PDF)
sty60nm60.pdf
STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V
sty60nm50.pdf
STY60NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM50 500V
sty60na20.pdf
STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247FAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NA20 200 V
sty60nk30z.pdf
STY60NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTY60NK30Z 300 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918