STY60NM60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STY60NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STY60NM60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STY60NM60 даташит
sty60nm60.pdf
STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM60 600V
sty60nm50.pdf
STY60NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM50 500V
sty60na20.pdf
STY60NA20 N - CHANNEL 200V - 0.030 - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NA20 200 V
sty60nk30z.pdf
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033 - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STY60NK30Z 300 V
Другие MOSFET... STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , IRFP250N , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG .
History: S70N08RP
History: S70N08RP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor




