BSB019N03LXG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSB019N03LXG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: WDSON2
Búsqueda de reemplazo de BSB019N03LXG MOSFET
BSB019N03LXG Datasheet (PDF)
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History: FDG330P | 2SK4177 | FDG6301NF085 | DMN3112S | IRF9Z10 | IRF520NS | IRFPE50PBF
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Liste
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