BSB019N03LXG Todos los transistores

 

BSB019N03LXG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB019N03LXG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDSON2
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSB019N03LXG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:548K  infineon
bsb019n03lx.pdf pdf_icon

BSB019N03LXG

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.1. Size:1548K  infineon
bsb017n03lx3 bsb017n03lx3g.pdf pdf_icon

BSB019N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB017N03LX3 Data Sheet2.2, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB017N03LX3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make Op

 9.2. Size:1557K  infineon
bsb014n04lx3g.pdf pdf_icon

BSB019N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB014N04LX3 G Data Sheet2.2, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB014N04LX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.3. Size:1566K  infineon
bsb015n04nx3g.pdf pdf_icon

BSB019N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB015N04NX3 G Data Sheet2.3, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB015N04NX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

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History: TPW60R160M | MSJU11N65 | SFP740 | TSM4N80CZ | SIHFI644G | IRFS640B | JFFM13N65D

 

 
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