BSB024N03LXG Todos los transistores

 

BSB024N03LXG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB024N03LXG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 145 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0024 Ohm

Empaquetado / Estuche: CanPAK

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BSB024N03LXG Datasheet (PDF)

1.1. bsb024n03lxg rev2.0.pdf Size:550K _infineon

BSB024N03LXG
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& " + $ !#& ' $><1A0@ &A::.>E Features 0 V DS T +5 9E88 C?4G5.1. bsb028n06nn3 rev1.4.pdf Size:1584K _infineon

BSB024N03LXG
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n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB028N06NN3 Data Sheet 1.4, 2011-05-27 Preliminary Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB028N06NN3 G 1 Description OptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiM

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