BSB024N03LXG Todos los transistores

 

BSB024N03LXG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB024N03LXG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDSON2
 

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BSB024N03LXG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  infineon
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BSB024N03LXG

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.1. Size:743K  infineon
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BSB024N03LXG

BSB028N06NN3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 9.2. Size:1584K  infineon
 bsb028n06nn3.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB028N06NN3 Data Sheet1.4, 2011-05-27Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB028N06NN3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages m

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History: 2SK2699 | SQSA80ENW | CTQ06N085 | STP80NF70 | 2N6802JANTXV | NCEP40P65GU | SMOS48N50

 

 
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