BSB024N03LXG - описание и поиск аналогов

 

BSB024N03LXG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSB024N03LXG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: WDSON2

Аналог (замена) для BSB024N03LXG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB024N03LXG даташит

 ..1. Size:550K  infineon
 bsb024n03lxg.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

& " + $ !#& ' $>E Features 0 V DS T +5 9E88 C?4G

 9.1. Size:743K  infineon
 bsb028n06nn3g.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

BSB028N06NN3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 60 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 90 A Superior thermal resistance CanPAKTM M Dual sided cooling MG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 9.2. Size:1584K  infineon
 bsb028n06nn3.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB028N06NN3 Data Sheet 1.4, 2011-05-27 Preliminary Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB028N06NN3 G 1 Description OptiMOS 60V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages m

Другие MOSFET... STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , IRLB4132 , BSB028N06NN3G , BSB053N03LPG , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.