Справочник MOSFET. BSB024N03LXG

 

BSB024N03LXG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB024N03LXG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
 

 Аналог (замена) для BSB024N03LXG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB024N03LXG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  infineon
 bsb024n03lxg.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.1. Size:743K  infineon
 bsb028n06nn3g.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

BSB028N06NN3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 9.2. Size:1584K  infineon
 bsb028n06nn3.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB028N06NN3 Data Sheet1.4, 2011-05-27Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB028N06NN3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages m

Другие MOSFET... STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , 5N60 , BSB028N06NN3G , BSB053N03LPG , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.