Справочник MOSFET. BSB024N03LXG

 

BSB024N03LXG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB024N03LXG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB024N03LXG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  infineon
 bsb024n03lxg.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.1. Size:743K  infineon
 bsb028n06nn3g.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

BSB028N06NN3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 9.2. Size:1584K  infineon
 bsb028n06nn3.pdf pdf_icon

BSB024N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB028N06NN3 Data Sheet1.4, 2011-05-27Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB028N06NN3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SRC60R030FBS | 2SK3075 | BRCS100N06BD | TPC8056-H | AP2603GY-HF | TPC65R260M | 2SK417

 

 
Back to Top

 


 
.