Справочник MOSFET. BSB024N03LXG

 

BSB024N03LXG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSB024N03LXG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2

 Аналог (замена) для BSB024N03LXG

 

 

BSB024N03LXG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  infineon
 bsb024n03lxg.pdf

BSB024N03LXG BSB024N03LXG

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.1. Size:743K  infineon
 bsb028n06nn3g.pdf

BSB024N03LXG BSB024N03LXG

BSB028N06NN3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 9.2. Size:1584K  infineon
 bsb028n06nn3.pdf

BSB024N03LXG BSB024N03LXG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB028N06NN3 Data Sheet1.4, 2011-05-27Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB028N06NN3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages m

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top