BSB028N06NN3G Todos los transistores

 

BSB028N06NN3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB028N06NN3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: WDSON2

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BSB028N06NN3G datasheet

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BSB028N06NN3G

BSB028N06NN3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 60 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 90 A Superior thermal resistance CanPAKTM M Dual sided cooling MG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 2.1. Size:1584K  infineon
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BSB028N06NN3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB028N06NN3 Data Sheet 1.4, 2011-05-27 Preliminary Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB028N06NN3 G 1 Description OptiMOS 60V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages m

 9.1. Size:550K  infineon
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BSB028N06NN3G

& " + $ !#& ' $>E Features 0 V DS T +5 9E88 C?4G

Otros transistores... STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , AO3401 , BSB053N03LPG , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG , BSC016N04LSG .

 

 

 


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