Справочник MOSFET. BSB028N06NN3G

 

BSB028N06NN3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB028N06NN3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
 

 Аналог (замена) для BSB028N06NN3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB028N06NN3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  infineon
 bsb028n06nn3g.pdf pdf_icon

BSB028N06NN3G

BSB028N06NN3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 2.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

 2.1. Size:1584K  infineon
 bsb028n06nn3.pdf pdf_icon

BSB028N06NN3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB028N06NN3 Data Sheet1.4, 2011-05-27Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB028N06NN3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages m

 9.1. Size:550K  infineon
 bsb024n03lxg.pdf pdf_icon

BSB028N06NN3G

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

Другие MOSFET... STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , AO3400 , BSB053N03LPG , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG , BSC016N04LSG .

History: HM18N40F | CTD06N017 | AO6801E | TPCA8009-H | AUIRFB4227 | P3606HK

 

 
Back to Top

 


 
.