BSB053N03LPG Todos los transistores

 

BSB053N03LPG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB053N03LPG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDSON2
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSB053N03LPG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:561K  infineon
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BSB053N03LPG

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 9.1. Size:1665K  infineon
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BSB053N03LPG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB056N10NN3 G Data Sheet2.5, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB056N10NN3 G1 DescriptionOptiMOS100V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

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History: IRF6643 | AP9918J | DKI10526 | 7N65KL-TN3-R | 2SK740 | IRFP4710PBF | WMR07N03T1

 

 
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