Справочник MOSFET. BSB053N03LPG

 

BSB053N03LPG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB053N03LPG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
 

 Аналог (замена) для BSB053N03LPG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB053N03LPG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:561K  infineon
 bsb053n03lp.pdf pdf_icon

BSB053N03LPG

& " $ $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F mD n) m xS G3> E;676 5AA>;@9 71 DS 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5:7 F7EF76S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@MG D ON S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S * BF;?;L76 8AD :;9: EI;F5:;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7DS 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57S A?

 9.1. Size:1665K  infineon
 bsb056n10nn3g.pdf pdf_icon

BSB053N03LPG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB056N10NN3 G Data Sheet2.5, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB056N10NN3 G1 DescriptionOptiMOS100V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , BSB028N06NN3G , SPP20N60C3 , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG , BSC016N04LSG , BSC017N04NSG .

History: IRF6619 | DMG6301UDW | 3N70L-TF3-T | RJK5026DPE | 2SJ687-ZK | TPC8301

 

 
Back to Top

 


 
.