BSB053N03LPG - описание и поиск аналогов

 

BSB053N03LPG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSB053N03LPG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: WDSON2

Аналог (замена) для BSB053N03LPG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB053N03LPG даташит

 3.1. Size:561K  infineon
 bsb053n03lp.pdf pdf_icon

BSB053N03LPG

& " $ $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m x S G3> E;676 5AA>;@9 71 D S 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5 7 F7EF76 S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ MG D ON S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S * BF;?;L76 8AD ;9 EI;F5 ;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7D S 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57 S A?

 9.1. Size:1665K  infineon
 bsb056n10nn3g.pdf pdf_icon

BSB053N03LPG

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB056N10NN3 G Data Sheet 2.5, 2011-05-27 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB056N10NN3 G 1 Description OptiMOS 100V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , BSB028N06NN3G , K3569 , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG , BSC016N04LSG , BSC017N04NSG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.