BSC019N02KSG Todos los transistores

 

BSC019N02KSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC019N02KSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 187 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC019N02KSG datasheet

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BSC019N02KSG

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BSC019N02KSG

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BSC019N02KSG

BSC019N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 37 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

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BSC019N02KSG

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