Справочник MOSFET. BSC019N02KSG

 

BSC019N02KSG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC019N02KSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 187 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC019N02KSG

 

 

BSC019N02KSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  infineon
 bsc019n02ksg.pdf

BSC019N02KSG BSC019N02KSG

% ! % D #:A0

 3.1. Size:663K  infineon
 bsc019n02ks.pdf

BSC019N02KSG BSC019N02KSG

% ! % D #:A0

 6.1. Size:526K  infineon
 bsc019n04ls.pdf

BSC019N02KSG BSC019N02KSG

BSC019N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 37 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

 6.2. Size:377K  infineon
 bsc019n04nsg.pdf

BSC019N02KSG BSC019N02KSG

BSC019N04NS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 6.3. Size:3484K  cn vbsemi
 bsc019n04ns.pdf

BSC019N02KSG BSC019N02KSG

BSC019N04NSwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DCD

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top