BSC019N02KSG - аналоги и даташиты транзистора

 

BSC019N02KSG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC019N02KSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 187 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC019N02KSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC019N02KSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  infineon
 bsc019n02ksg.pdf pdf_icon

BSC019N02KSG

% ! % D #:A0

 3.1. Size:663K  infineon
 bsc019n02ks.pdf pdf_icon

BSC019N02KSG

% ! % D #:A0

 6.1. Size:526K  infineon
 bsc019n04ls.pdf pdf_icon

BSC019N02KSG

BSC019N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 37 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

 6.2. Size:377K  infineon
 bsc019n04nsg.pdf pdf_icon

BSC019N02KSG

BSC019N04NS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , BSC016N03MSG , BSC016N04LSG , BSC017N04NSG , BSC018N04LSG , BSC018NE2LS , IRFB3607 , BSC019N04NSG , BSC020N025SG , BSC020N03LSG , BSC020N03MSG , BSC022N03SG , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , BSC025N03MSG .

 

 
Back to Top

 


 
.