BSC022N03SG Todos los transistores

 

BSC022N03SG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC022N03SG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC022N03SG datasheet

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BSC022N03SG

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BSC022N03SG

BSC022N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 2.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 33 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 37 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

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BSC022N03SG

BSC022N04LS6 MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance R DS(on) 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

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