Справочник MOSFET. BSC022N03SG

 

BSC022N03SG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC022N03SG
   Маркировка: 22N03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC022N03SG

 

 

BSC022N03SG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:631K  infineon
 bsc022n03s.pdf

BSC022N03SG BSC022N03SG

% ! % D #:A0

 6.1. Size:586K  infineon
 bsc022n04ls.pdf

BSC022N03SG BSC022N03SG

BSC022N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 33 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 37 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

 6.2. Size:1586K  infineon
 bsc022n04ls6.pdf

BSC022N03SG BSC022N03SG

BSC022N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top