BSC022N03SG - описание и поиск аналогов

 

BSC022N03SG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC022N03SG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC022N03SG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC022N03SG даташит

 4.1. Size:631K  infineon
 bsc022n03s.pdf pdf_icon

BSC022N03SG

% ! % D # A0

 6.1. Size:586K  infineon
 bsc022n04ls.pdf pdf_icon

BSC022N03SG

BSC022N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 2.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 33 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 37 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

 6.2. Size:1586K  infineon
 bsc022n04ls6.pdf pdf_icon

BSC022N03SG

BSC022N04LS6 MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance R DS(on) 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC017N04NSG , BSC018N04LSG , BSC018NE2LS , BSC019N02KSG , BSC019N04NSG , BSC020N025SG , BSC020N03LSG , BSC020N03MSG , AON7506 , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , BSC025N03MSG , BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.