BSC030N03MSG Todos los transistores

 

BSC030N03MSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC030N03MSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC030N03MSG datasheet

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BSC030N03MSG

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BSC030N03MSG

BSC030N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 3 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8 GS I 100 A 100% avalanche tested D PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Excellent gate charge x RDS(on) product

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BSC030N03MSG

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BSC030N03MSG

BSC030N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS R 3 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A D Optimized technology for DC/DC converters PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superi

Otros transistores... BSC022N03SG , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , BSC025N03MSG , BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , IRF1407 , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , BSC032N03SG , BSC034N03LSG , BSC035N04LSG , BSC042N03LSG , BSC042N03MSG .

History: 2SJ646 | FDBL9401F085

 

 

 

 

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