BSC030N03MSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC030N03MSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: TDSON8
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BSC030N03MSG datasheet
bsc030n03msg.pdf
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bsc030n03ms.pdf
BSC030N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 3 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8 GS I 100 A 100% avalanche tested D PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Excellent gate charge x RDS(on) product
bsc030n03ls .pdf
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bsc030n03lsg.pdf
BSC030N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS R 3 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A D Optimized technology for DC/DC converters PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superi
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History: 2SJ646 | FDBL9401F085
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