Справочник MOSFET. BSC030N03MSG

 

BSC030N03MSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC030N03MSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC030N03MSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  infineon
 bsc030n03msg.pdf pdf_icon

BSC030N03MSG

% ! % D %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 - . A@ 0G =4 S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J - . A@ BDA6G5F !* ( 1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD

 3.1. Size:195K  infineon
 bsc030n03ms.pdf pdf_icon

BSC030N03MSG

BSC030N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 3mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8GSI 100 A 100% avalanche tested DPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Excellent gate charge x RDS(on) product

 5.1. Size:687K  infineon
 bsc030n03ls .pdf pdf_icon

BSC030N03MSG

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeatures D m Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- D n) m x 1 DQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC1) G D ON Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @

 5.2. Size:384K  infineon
 bsc030n03lsg.pdf pdf_icon

BSC030N03MSG

BSC030N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDSR 3m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPP070N08N3 | FTA14N50C | IAUC100N10S5N040 | STU601S | PDC3908X | WMM50P04T1 | 6N65KG-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.