BSC032N03SG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC032N03SG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSC032N03SG MOSFET
BSC032N03SG Datasheet (PDF)
bsc032n04ls.pdf

BSC032N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 98 A 100% avalanche testedQOSS 22 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 25 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8
bsc032ne2ls.pdf

BSC032NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 84 A 100% avalanche testedQOSS 9.4 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 16 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8
Otros transistores... BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , SKD502T , BSC034N03LSG , BSC035N04LSG , BSC042N03LSG , BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G .
History: SE7401P | N2500N | DH850N10I
History: SE7401P | N2500N | DH850N10I



Liste
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