Справочник MOSFET. BSC032N03SG

 

BSC032N03SG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC032N03SG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC032N03SG

 

 

BSC032N03SG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:632K  infineon
 bsc032n03s.pdf

BSC032N03SG BSC032N03SG

% ! % D #:A0

 6.1. Size:602K  infineon
 bsc032n04ls.pdf

BSC032N03SG BSC032N03SG

BSC032N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 98 A 100% avalanche testedQOSS 22 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 25 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

 7.1. Size:716K  infineon
 bsc032ne2ls.pdf

BSC032N03SG BSC032N03SG

BSC032NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 84 A 100% avalanche testedQOSS 9.4 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 16 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top