Справочник MOSFET. BSC032N03SG

 

BSC032N03SG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC032N03SG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC032N03SG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC032N03SG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:632K  infineon
 bsc032n03s.pdf pdf_icon

BSC032N03SG

% ! % D #:A0

 6.1. Size:602K  infineon
 bsc032n04ls.pdf pdf_icon

BSC032N03SG

BSC032N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 98 A 100% avalanche testedQOSS 22 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 25 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

 7.1. Size:716K  infineon
 bsc032ne2ls.pdf pdf_icon

BSC032N03SG

BSC032NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 84 A 100% avalanche testedQOSS 9.4 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 16 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , SKD502T , BSC034N03LSG , BSC035N04LSG , BSC042N03LSG , BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G .

History: 2SK1074 | STF13N60M2 | SP8M70 | PSMN5R6-100PS | SI7491DP | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.