BSC032N03SG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC032N03SG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
Аналог (замена) для BSC032N03SG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC032N03SG даташит
bsc032n04ls.pdf
BSC032N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 3.2 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 98 A 100% avalanche tested QOSS 22 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 25 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8
Другие MOSFET... BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , RFP50N06 , BSC034N03LSG , BSC035N04LSG , BSC042N03LSG , BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G .
History: XP151A13A0MR | 2N65G-TMS-T
History: XP151A13A0MR | 2N65G-TMS-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a