BSC052N03SG Todos los transistores

 

BSC052N03SG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC052N03SG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSC052N03SG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:639K  infineon
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BSC052N03SG

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 5.1. Size:1611K  infineon
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BSC052N03SG

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 6.1. Size:1175K  infineon
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BSC052N03SG

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History: MS6N90 | 24NM60G-TQ2-T | SSM4502GM | FPF1C2P5BF07A | FQD20N06L | SGSP341 | AOK160A60FDL

 

 
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