BSC052N03SG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSC052N03SG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
Аналог (замена) для BSC052N03SG
BSC052N03SG Datasheet (PDF)
bsc052n03ls.pdf
n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC052N03LS Data Sheet2.1, 2011-09-23Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC052N03LS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS
bsc052n08ns5.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC052N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC052N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re
Другие MOSFET... BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG , BSC050N03MSG , BSC050N04LSG , BSC050NE2LS , BSC052N03LS , AO3401 , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG , BSC059N04LSG , BSC060N10NS3G , BSC060P03NS3EG .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918