BSC052N03SG - описание и поиск аналогов

 

BSC052N03SG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC052N03SG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC052N03SG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC052N03SG даташит

 4.1. Size:639K  infineon
 bsc052n03s g.pdf pdf_icon

BSC052N03SG

% ! % D # A0

 5.1. Size:1611K  infineon
 bsc052n03ls.pdf pdf_icon

BSC052N03SG

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSC052N03LS Data Sheet 2.1, 2011-09-23 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSC052N03LS 1 Description OptiMOS 30V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 6.1. Size:1175K  infineon
 bsc052n08ns5.pdf pdf_icon

BSC052N03SG

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC052N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC052N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG , BSC050N03MSG , BSC050N04LSG , BSC050NE2LS , BSC052N03LS , IRFB31N20D , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG , BSC059N04LSG , BSC060N10NS3G , BSC060P03NS3EG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.