BSC079N10NSG Todos los transistores

 

BSC079N10NSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC079N10NSG
   Código: 079N10NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSC079N10NSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  infineon
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BSC079N10NSG

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BSC079N10NSG

BSC079N03S GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.9mDS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8P-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resi

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BSC079N10NSG

BSC079N03S GProduct SummaryOptiMOS2 Power-TransistorFeatures V 30 VDSR 7.9 Fast switching MOSFET for SMPS mDS(on),maxI 40 A Optimized technology for notebook DC/DC convertersD Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 7.3. Size:384K  infineon
 bsc079n03lscg.pdf pdf_icon

BSC079N10NSG

BSC079N03LSC GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Improved switching behaviourPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

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History: VBFB16R04

 

 
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