BSC079N10NSG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSC079N10NSG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSC079N10NSG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC079N10NSG даташит

 ..1. Size:661K  infineon
 bsc079n10ns5 bsc079n10nsg.pdf pdf_icon

BSC079N10NSG

% ! !% D # A0

 7.1. Size:342K  infineon
 bsc079n03s.pdf pdf_icon

BSC079N10NSG

BSC079N03S G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.9 m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level P-TDSON-8 P-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resi

 7.2. Size:380K  infineon
 bsc079n03sg.pdf pdf_icon

BSC079N10NSG

BSC079N03S G Product Summary OptiMOS 2 Power-Transistor Features V 30 V DS R 7.9 Fast switching MOSFET for SMPS m DS(on),max I 40 A Optimized technology for notebook DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

 7.3. Size:384K  infineon
 bsc079n03lscg.pdf pdf_icon

BSC079N10NSG

BSC079N03LSC G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Improved switching behaviour PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSC059N04LSG, BSC060N10NS3G, BSC060P03NS3EG, BSC067N06LS3G, BSC070N10NS3G, BSC072N03LDG, BSC076N06NS3G, BSC077N12NS3G, MMIS60R580P, BSC080N03LSG, BSC080N03MSG, BSC080P03LSG, BSC082N10LSG, BSC084P03NS3G, BSC084P03NS3EG, BSC0901NS, BSC0902NS