BSC0909NS Todos los transistores

 

BSC0909NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC0909NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 34 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC0909NS PDF Specs

 ..1. Size:608K  infineon
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BSC0909NS

BSC0909NS OptiMOS Power-MOSFET Product Summary Features VDS 34 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 9.2 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 11.8 100% Avalanche tested ID 44 A Improved switching behaviour PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate c... See More ⇒

 ..2. Size:1638K  infineon
bsc0909ns rev3.2.pdf pdf_icon

BSC0909NS

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSC0909NS Data Sheet 3.2, 2011-09-26 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSC0909NS 1 Description OptiMOS 30V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS ... See More ⇒

 8.1. Size:816K  infineon
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BSC0909NS

BSC0902NS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 16 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 ... See More ⇒

 8.2. Size:521K  infineon
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BSC0909NS

BSC090N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio... See More ⇒

Otros transistores... BSC080N03MSG , BSC080P03LSG , BSC082N10LSG , BSC084P03NS3G , BSC084P03NS3EG , BSC0901NS , BSC0902NS , BSC0908NS , IRF840 , BSC090N03LSG , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , BSC100N06LS3G , BSC100N10NSFG .

 

 
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Liste

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