BSC0909NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSC0909NS
Маркировка: 0909NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 34 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
BSC0909NS Datasheet (PDF)
bsc0909ns.pdf

BSC0909NSOptiMOS Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 34 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 9.2 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 11.8 100% Avalanche testedID 44 A Improved switching behaviourPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate c
bsc0909ns rev3.2.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC0909NS Data Sheet3.2, 2011-09-26Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC0909NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS
bsc0902ns.pdf

BSC0902NSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 16 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8
bsc090n03lsg.pdf

BSC090N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio
Другие MOSFET... BSC080N03MSG , BSC080P03LSG , BSC082N10LSG , BSC084P03NS3G , BSC084P03NS3EG , BSC0901NS , BSC0902NS , BSC0908NS , IRF840 , BSC090N03LSG , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , BSC100N06LS3G , BSC100N10NSFG .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R430ACFP | JMH65R400MPLNFD | JMH65R400MKFD | JMH65R400MFFD | JMH65R360PK | JMH65R360PF | JMH65R360MK | JMH65R360MF | JMH65R360AK | JMH65R360AF | JMH65R290APLN | JMH65R290AF | JMH65R290AEFDQ | JMH65R290AE | JMH65R290ACFP | JMSH1003TTL
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent