BSC0909NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSC0909NS
Маркировка: 0909NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 34 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
BSC0909NS Datasheet (PDF)
bsc0909ns.pdf

BSC0909NSOptiMOS Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 34 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 9.2 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 11.8 100% Avalanche testedID 44 A Improved switching behaviourPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate c
bsc0909ns rev3.2.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC0909NS Data Sheet3.2, 2011-09-26Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC0909NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS
bsc0902ns.pdf

BSC0902NSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 16 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8
bsc090n03lsg.pdf

BSC090N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ | JMPK4N65BJ | JMPK4N60BJ | JMPF18N50BJ | JMPF16N65BJ | JMPF16N60BJ | JMPF15N50BJ | JMPF13N50BJ | JMPF12N65BJ | JMPF12N60BJ | JMPF10N65BJ | JMPF10N60BJ | JMPE34N20BJ | JMPE18N20BJ
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent