Справочник MOSFET. BSC0909NS

 

BSC0909NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC0909NS
   Маркировка: 0909NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 34 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC0909NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  infineon
bsc0909ns.pdfpdf_icon

BSC0909NS

BSC0909NSOptiMOS Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 34 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 9.2 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 11.8 100% Avalanche testedID 44 A Improved switching behaviourPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate c

 ..2. Size:1638K  infineon
bsc0909ns rev3.2.pdfpdf_icon

BSC0909NS

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC0909NS Data Sheet3.2, 2011-09-26Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC0909NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 8.1. Size:816K  infineon
bsc0902ns.pdfpdf_icon

BSC0909NS

BSC0902NSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 16 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

 8.2. Size:521K  infineon
bsc090n03lsg.pdfpdf_icon

BSC0909NS

BSC090N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.