BSC100N10NSFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC100N10NSFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC100N10NSFG

BSC100N10NSFG Datasheet (PDF)

..1. Size:654K infineon
bsc100n10nsf8 bsc100n10nsfg.pdf

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7.1. Size:394K infineon
bsc100n06ls3g.pdf

TypeBSC100N06LS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 10 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

7.2. Size:524K infineon
bsc100n03msg.pdf

BSC100N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

7.3. Size:485K infineon
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7.4. Size:689K infineon
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