Справочник MOSFET. BSC100N10NSFG

 

BSC100N10NSFG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC100N10NSFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC100N10NSFG

 

 

BSC100N10NSFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  infineon
 bsc100n10nsf8 bsc100n10nsfg.pdf

BSC100N10NSFG BSC100N10NSFG

% ! !% D #:A0 DQ ' 381>>5?B=1

 7.1. Size:394K  infineon
 bsc100n06ls3g.pdf

BSC100N10NSFG BSC100N10NSFG

TypeBSC100N06LS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 10 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 7.2. Size:524K  infineon
 bsc100n03msg.pdf

BSC100N10NSFG BSC100N10NSFG

BSC100N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

 7.3. Size:485K  infineon
 bsc100n03ms.pdf

BSC100N10NSFG BSC100N10NSFG

BSC100N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

 7.4. Size:689K  infineon
 bsc100n03ls.pdf

BSC100N10NSFG BSC100N10NSFG

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 1 m D n) m x 44 Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8

 7.5. Size:585K  infineon
 bsc100n06ls3.pdf

BSC100N10NSFG BSC100N10NSFG

pe % ! % TM #:A0A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top