BSC100N10NSFG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSC100N10NSFG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSC100N10NSFG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC100N10NSFG даташит

 ..1. Size:654K  infineon
 bsc100n10nsf8 bsc100n10nsfg.pdf pdf_icon

BSC100N10NSFG

% ! !% D # A0 D Q ' 381>>5?B=1

 7.1. Size:394K  infineon
 bsc100n06ls3g.pdf pdf_icon

BSC100N10NSFG

Type BSC100N06LS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 10 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 7.2. Size:524K  infineon
 bsc100n03msg.pdf pdf_icon

BSC100N10NSFG

BSC100N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) DS

 7.3. Size:485K  infineon
 bsc100n03ms.pdf pdf_icon

BSC100N10NSFG

BSC100N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) DS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSC0909NS, BSC090N03LSG, BSC090N03MSG, BSC093N04LSG, BSC094N03SG, BSC100N03LSG, BSC100N03MSG, BSC100N06LS3G, IRF640, BSC105N10LSFG, BSC109N10NS3G, BSC110N06NS3G, BSC118N10NSG, BSC119N03SG, BSC120N03LSG, BSC120N03MSG, BSC123N08NS3G