BSC105N10LSFG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC105N10LSFG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSC105N10LSFG MOSFET
BSC105N10LSFG datasheet
bsc105n10lsf9 bsc105n10lsfg.pdf
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bsc100n06ls3g.pdf
Type BSC100N06LS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 10 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli... See More ⇒
bsc100n10nsf8 bsc100n10nsfg.pdf
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bsc100n03msg.pdf
BSC100N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) DS... See More ⇒
Otros transistores... BSC090N03LSG , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , BSC100N06LS3G , BSC100N10NSFG , IRLZ44N , BSC109N10NS3G , BSC110N06NS3G , BSC118N10NSG , BSC119N03SG , BSC120N03LSG , BSC120N03MSG , BSC123N08NS3G , BSC123N10LSG .
History: SM7A25NSUB
History: SM7A25NSUB
Liste
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