BSC105N10LSFG - описание и поиск аналогов

 

BSC105N10LSFG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC105N10LSFG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC105N10LSFG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC105N10LSFG даташит

 ..1. Size:658K  infineon
bsc105n10lsf9 bsc105n10lsfg.pdfpdf_icon

BSC105N10LSFG

& " & E $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 1 D R ( 492??6= =@8 4 =6G6= 1 m D n) m x R /6CJ =@H 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 D n) G D ON R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E "2=@86? C66 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E

 9.1. Size:394K  infineon
bsc100n06ls3g.pdfpdf_icon

BSC105N10LSFG

Type BSC100N06LS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 10 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 9.2. Size:654K  infineon
bsc100n10nsf8 bsc100n10nsfg.pdfpdf_icon

BSC105N10LSFG

% ! !% D # A0 D Q ' 381>>5?B=1

 9.3. Size:524K  infineon
bsc100n03msg.pdfpdf_icon

BSC105N10LSFG

BSC100N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) DS

Другие MOSFET... BSC090N03LSG , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , BSC100N06LS3G , BSC100N10NSFG , IRLZ44N , BSC109N10NS3G , BSC110N06NS3G , BSC118N10NSG , BSC119N03SG , BSC120N03LSG , BSC120N03MSG , BSC123N08NS3G , BSC123N10LSG .

History: K1307 | JMSL1040PGDQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.