BSC130P03LSG Todos los transistores

 

BSC130P03LSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC130P03LSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 857 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSC130P03LSG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSC130P03LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  infineon
 bsc130p03lsg .pdf pdf_icon

BSC130P03LSG

BSC130P03LS GOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-ChannelRDS(on),max 13mW Enhancement modeID -22.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche rated; RoHS compliantPG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant

 9.1. Size:921K  infineon
 bsc13dn30nsfd.pdf pdf_icon

BSC130P03LSG

BSC13DN30NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 300 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC

Otros transistores... BSC110N06NS3G , BSC118N10NSG , BSC119N03SG , BSC120N03LSG , BSC120N03MSG , BSC123N08NS3G , BSC123N10LSG , BSC12DN20NS3G , IRF9540 , BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG .

History: NCE6020AI | NCEP6055AGU | PMV37EN2 | IRF9610PBF | FQP5N80 | SLD80R380SJ | DH100P40D

 

 
Back to Top

 


 
.