BSC130P03LSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC130P03LSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 857 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: TDSON8
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BSC130P03LSG datasheet
bsc130p03lsg .pdf
BSC130P03LS G OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features VDS -30 V P-Channel RDS(on),max 13 mW Enhancement mode ID -22.5 A Logic level 150 C operating temperature Avalanche rated; RoHS compliant PG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant
bsc13dn30nsfd.pdf
BSC13DN30NSFD MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM3 Power-Transistor, 300 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Qualified according to JEDEC1) for target application 3 1 4 Halogen-free according to IEC
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History: SVT033R5NAT
History: SVT033R5NAT
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