Справочник MOSFET. BSC130P03LSG

 

BSC130P03LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC130P03LSG
   Маркировка: 130P03LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 54.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 857 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC130P03LSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC130P03LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  infineon
 bsc130p03lsg .pdf pdf_icon

BSC130P03LSG

BSC130P03LS GOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-ChannelRDS(on),max 13mW Enhancement modeID -22.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche rated; RoHS compliantPG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant

 9.1. Size:921K  infineon
 bsc13dn30nsfd.pdf pdf_icon

BSC130P03LSG

BSC13DN30NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 300 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.