BSC159N10LSFG Todos los transistores

 

BSC159N10LSFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC159N10LSFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0159 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC159N10LSFG Datasheet (PDF)

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BSC159N10LSFG

& " & E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 1 D R ( 492??6= =@8:4 =6G6= 1 m D n) m xR /6CJ =@H 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)DR &@H @? C6D:DE2?46 D n) G D ON R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E "2=@86? C661)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42

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BSC159N10LSFG

BSC155N06NDMOSFETPG-TDSON-8-4OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 60 V8 17Features 26354 Dual N-channel,Normal Level Fast switching MOSFETs 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)182 7 100% Avalanche tested3 654 Optimized technology for drives applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Superior thermal resis

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BSC159N10LSFG

BSC150N03LD GOptiMOS3 Power-TransistorsProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channel, logic levelR 15mDS(on),max Fast switching MOSFETs for SMPSI 20 ADPG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

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BSC159N10LSFG

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History: HGS650N15SL | SI4426DY | 2SJ103 | H06N60E | IRFU3518PBF | 2N90L-TN3-R | SFF40N30P

 

 
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