BSC159N10LSFG - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

BSC159N10LSFG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: BSC159N10LSFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0159 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC159N10LSFG

BSC159N10LSFG Datasheet (PDF)

..1. Size:666K infineon
bsc159n10lsf9 bsc159n10lsfg.pdf

& " & E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 1 D R ( 492??6= =@8:4 =6G6= 1 m D n) m xR /6CJ =@H 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)DR &@H @? C6D:DE2?46 D n) G D ON R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E "2=@86? C661)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42

9.1. Size:1163K infineon
bsc155n06nd.pdf

BSC155N06NDMOSFETPG-TDSON-8-4OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 60 V8 17Features 26354 Dual N-channel,Normal Level Fast switching MOSFETs 175C operating temperature Green product (RoHS compliant)182 7 100% Avalanche tested3 654 Optimized technology for drives applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Superior thermal resis

9.2. Size:317K infineon
bsc150n03ld.pdf

BSC150N03LD GOptiMOS3 Power-TransistorsProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channel, logic levelR 15mDS(on),max Fast switching MOSFETs for SMPSI 20 ADPG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

9.3. Size:589K infineon
bsc150n03ld .pdf