BSC190N12NS3G Todos los transistores

 

BSC190N12NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC190N12NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC190N12NS3G Datasheet (PDF)

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BSC190N12NS3G

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BSC190N12NS3G

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 bsc196n10ns7 bsc196n10nsg.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

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History: CJCD2007 | WPM2341 | WMM08N60C4 | SI3403 | 4N65L-T2Q-T

 

 
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