BSC190N12NS3G - аналоги и даташиты транзистора

 

BSC190N12NS3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC190N12NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC190N12NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC190N12NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  infineon
 bsc190n12ns3 bsc190n12ns3g.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

% ! !% TM #:A0

 6.1. Size:567K  infineon
 bsc190n15ns3 bsc190n15ns3g.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

$ $ C "9@/; %;+877+;BFeatures 150 VDSQ ' 381>>5?B=1

 9.1. Size:659K  infineon
 bsc196n10ns7 bsc196n10nsg.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

% ! !% D #:A0

Другие MOSFET... BSC123N10LSG , BSC12DN20NS3G , BSC130P03LSG , BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , IRF9540 , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG .

 

 
Back to Top

 


 
.