BSC190N12NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSC190N12NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC190N12NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC190N12NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC190N12NS3G даташит

 ..1. Size:656K  infineon
 bsc190n12ns3 bsc190n12ns3g.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

% ! !% TM # A0

 6.1. Size:567K  infineon
 bsc190n15ns3 bsc190n15ns3g.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

$ $ C "9@/; %;+877+;B Features 150 V DS Q ' 381>>5?B=1

 9.1. Size:659K  infineon
 bsc196n10ns7 bsc196n10nsg.pdf pdf_icon

BSC190N12NS3G

% ! !% D # A0

Другие MOSFET... BSC123N10LSG , BSC12DN20NS3G , BSC130P03LSG , BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , IRF9540 , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG .

History: H5N60D | HM4444 | ASDM4614S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.