BSC200P03LSG Todos los transistores

 

BSC200P03LSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC200P03LSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 63 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 36.4 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: SuperSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC200P03LSG

 

BSC200P03LSG Datasheet (PDF)

1.1. bsc200p03lsg rev1.04 .pdf Size:494K _infineon

BSC200P03LSG
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BSC200P03LS G OptiMOS-P Power-Transistor Product Summary Features VDS -30 V P-Channel RDS(on),max 20 mW Enhancement mode ID -12.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche rated PG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free Lead plating: RoHS compliant Type Package Marking Lead free Packing

5.1. bsc205n10lsrev2.08.pdf Size:658K _infineon

BSC200P03LSG
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& " & $;B1= '=-:>5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 1 D R ( 492??6= =@8:4 =6G6= m D n) m x R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) 4 D R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 D n) G? D ON? R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E 1) R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@? R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42E:@? R "2=@8

Otros transistores... BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , 75339P , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G .

 
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