Справочник MOSFET. BSC200P03LSG

 

BSC200P03LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC200P03LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 569 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC200P03LSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC200P03LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  infineon
bsc200p03lsg .pdfpdf_icon

BSC200P03LSG

BSC200P03LS GOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-ChannelRDS(on),max 20mW Enhancement modeID -12.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche ratedPG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free Lead plating: RoHS compliantType Package Mark

 9.1. Size:658K  infineon
bsc205n10ls8.pdfpdf_icon

BSC200P03LSG

& " & $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 1 D R ( 492??6= =@8:4 =6G6= m D n) m xR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) 4 DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 D n) G D ON R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42E:@?

Другие MOSFET... BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , 12N60 , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G .

History: WM03DH34M3 | SI2308 | CSD83325L | CSD75211W1723 | MTP4N10 | AOB600A60L | VBFB2658

 

 
Back to Top

 


 
.