BSC252N10NSFG Todos los transistores

 

BSC252N10NSFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC252N10NSFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0252 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC252N10NSFG Datasheet (PDF)

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 bsc252n10nsf8 bsc252n10nsfg.pdf pdf_icon

BSC252N10NSFG

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 2.1. Size:653K  infineon
 bsc252n10nsf.pdf pdf_icon

BSC252N10NSFG

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Otros transistores... BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , 5N60 , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG .

History: DH8004D | P0550ATF | IRFS9623 | SQM120N04-1M8 | VBM165R02 | AP9990GMT | AOI950A70

 

 
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