BSC252N10NSFG - описание и поиск аналогов

 

BSC252N10NSFG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC252N10NSFG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0252 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC252N10NSFG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC252N10NSFG даташит

 ..1. Size:655K  infineon
bsc252n10nsf8 bsc252n10nsfg.pdfpdf_icon

BSC252N10NSFG

% ! !% D # A0A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C

 2.1. Size:653K  infineon
bsc252n10nsf.pdfpdf_icon

BSC252N10NSFG

% ! !% D # A0A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C

Другие MOSFET... BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , IRLB4132 , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.